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    基礎信息Product information

    產品名稱:美國吉時利KEITHLEY2651A數字源表

    產品型號:

    更新時間:2024-04-07

    產品簡介:

    中國電子行業儀器優質供應商——堅融實業JETYOO INDUSTRIAL,Support、銷售Sale、服務Service,3S公司,提供美國吉時利KEITHLEY2651A數字源表解決方案、測試測量技術改進、技術培訓、采購管理、售后維修服務。

    產品特性Product characteristics

    專業儀器設備與測試方案供應商——上海堅融實業有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅友(上海)測量儀器有限公司JETYOO INSTRUMENTS,為原安捷倫Agilent【現是德KEYSIGHT】品牌技術經理-堅JET與吉時利KEITHLEY【現泰克Tektronix】品牌產品經理-融YOO于2011年共同創辦,專注工業測試領域十六年,志在破舊立新!*進口儀器設備大多數廠家僅在國內設銷售點,但技術支持薄弱甚至沒有,而代理經銷商也只做商務,不做售前技術支持/測試方案和售后使用培訓/維修校準的空白。我們的技術型銷售均為本科以上學歷,且均有10年以上測試行業經驗,以我們先進*的經營理念,與客戶互惠互利合作雙贏,重在協助用戶采購與技術工程師的工作,提供較有競爭力的供應鏈管理與售前售后技術支持。堅融實業——一家致力于為祖國用戶提供美國吉時利KEITHLEY2651A數字源表儀器設備、測試方案、技術培訓、維修計量全面服務的儀器設備綜合服務商。


    吉時利KEITHLEY2600B系列源表研究領域:
    各種器件的I-V功能測試和特征分析,包括:
    離散和無源元件
    –兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅動器頭、金屬氧化物可變電阻(MOV)、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
    –三抽頭器件——小信號雙極結型晶體管(BJT)、場效應晶體管(FET)等等
    簡單IC器件——光學器件、驅動器、開關、傳感器
    集成器件——小規模集成(SSI)和大規模集成(LSI)
    –模擬IC
    –射頻集成電路(RFIC)
    –集成電路(ASIC)
    –片上系統(SoC)器件
    光電器件,例如發光二極管(LED)、激光二極管、高亮度LED(HBLED)、垂直腔面發射激光器(VCSEL)、顯示器
    圓片級可靠性
    - NBTI、TDDB、HCI、電遷移
    太陽能電池
    電池
    暫態抑制器件
    IC、RFIC、MMIC
    激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
    電路保護器件:
    TVS、MOV、熔絲
    安全氣囊
    連接器、開關、繼電器
    碳納米管
    半導體納米線
    碳納米管 FET
    納米傳感器和陣列
    單電子晶體管
    分子電子
    有機電子
    基本運放電路
    二極管和電路
    晶體管電路

    測試:
    漏流
    低壓、電阻
    LIV
    IDDQ
    I-V特征分析
    隔離與軌跡電阻
    溫度系數
    正向電壓、反向擊穿、漏電流
    直流參數測試
    直流電源
    HIPOT
    介質耐受性

    雙極結型晶體管設計
    結型場效應晶體管設計
    金屬氧化物半導體場效應晶體管設計
    太陽能電池和 LED 設計
    高電子遷移率晶體管設計
    復合半導體器件設計

    分析納米材料和實驗器件
    碳納米管的電測量標準
    測量碳納米管電氣特性
    提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
    在低功率和低壓應用中實現準確、可靠的電阻測量
    納米級器件和材料的電氣測量
    提高超高電阻和電阻率測量的可重復性
    一種微分電導的改進測量方法
    納米技術準確電氣測量的技術
    納米級材料的電氣測量
    降低外部誤差源影響的儀器技術
    迎接65nm節點的測量挑戰
    測量半導體材料的高電阻率和霍爾電壓
    用微微微安量程測量電流
    柵極電介質電容電壓特性分析
    評估氧化層的可靠性

    的半導體器件結構設計和試驗低電阻、低功耗半導體器
    輸出極低電流和測量極低電壓分析現代材料、半導體和納米電子元件的電阻
    低阻測量(低至10nΩ)分析導通電阻參數、互連和低功率半導體。
    用于先進CMOS技術的脈沖可靠性測試
    高K柵極電介質電荷俘獲行為的脈沖特性分析
    用6線歐姆測量技術進行更高準確度的電阻測量
    配置分立電阻器驗證測試系統
    電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產測試
    多臺數字源表的觸發器同步
    高亮度、可見光LED的生產測試
    OLED顯示器的直流生產測試
    在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩定特性分析
    數字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數據
    連接器的生產測試方案
    射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

    1. MOS 電容器
    C-V 曲線 (高頻:100kHz):
    摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度:電壓掃描率和方向 – 光效應和溫度效應。
    I-V 曲線分析:
    電荷建立 (測量電壓 - 時間圖,用低電流源); 氧化層電容測定; 與 C-V 曲線比較。
    C-V 曲線 (準靜態) 結合 C-V 曲線:
    表面電位 Ψs 與施加電壓的關系 – Si (100) 的表面態密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比:方向和后處理退火的影響。
    C-V 曲線 (高頻:100kHz):
    移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應力:200°C,10 分鐘,±10V)

    2. 雙極結型晶體管
        主題
      正向共發射極輸出特性:Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
      正向 CE 輸入特性:Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。
      正向 Gummel 曲線: log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
      確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
      Βf 與 log(Ic) 的關系: 低注入和高注入的效果。
      非理想特性:爾利電壓。
      反向 CE 輸出特性: Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
    反向 CE 傳輸特性:Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。
      反向 Gummel 曲線: logIe, logIb=f(Vbc>0).
      確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
      Βr 與 log(Ie) 的關系: 低注入和高注入的效果。
      Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定,對于給定的 Ib 電流。
      Ebers Moll 模型構建并且與實驗做比較。
      BE 和 CE 結的 C-V 特性分析?;鶇^摻雜濃縮。

    3. 亞微米集成 MOSFET
    輸出特性:IDS = f(VDS,VGS):
    p型 MOSFET (增強或耗盡),溝道長度調制參數(λ) 在飽和區域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關系。
    傳輸特性:
    IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
    Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
    襯底偏壓特性:
    IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
    亞閾值特性:
    log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
    襯底電流特性:
    log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
    使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型:比較實驗結果。

    美國吉時利KEITHLEY2600數字源表進行VCSEL測試
    美國吉時利KEITHLEY2600測量光伏電池的I-V特性
    美國吉時利KEITHLEY2400系列數字源表的SCPI應用轉換為2600系列源表的腳本應用
    美國吉時利KEITHLEY2600系列數字源表進行IDDQ測試和待機電流測試
    使用兩臺美國吉時利KEITHLEY2600型數字源表輸出2A電流
    美國吉時利KEITHLEY2600或其它非脈沖模式源表產生電流 (或電壓) 脈沖
    美國吉時利KEITHLEY2600系列數字源表提升多引腳器件的生產量
    美國吉時利KEITHLEY2602數字源表創建可擴縮、多引腳、多功能IC測試系統
    美國吉時利KEITHLEY2602數字源表對激光二極管模塊和VCSEL進行高吞吐率直流生產測試
    美國吉時利KEITHLEY2600系列數字源表進行二極管生產測試
    美國吉時利KEITHLEY2600系列數字源表進行高亮度、可見光LED的生產測試
    美國吉時利KEITHLEY2600系列數字源表進行IDDQ測試和待機電流測試
    美國吉時利KEITHLEY2600 數字源表驗證變阻器
    美國吉時利KEITHLEY2600系列源表進行電池放電/充電周期
    美國吉時利KEITHLEY2600配置電阻網絡的生產測試系統
    美國吉時利KEITHLEY2651 2kW 脈沖源表進行大電流變阻器的生產測試
    美國吉時利KEITHLEY2600數字源表進行熱敏電阻的生產測試


    美國吉時利KEITHLEY2651A數字源表概述
    2651A型高功率系統數字源表儀器的脈沖功率2000W,200W直流電源,PA和UV分辨率高達50A @40V

    型號2657A是一種高電壓,高功率,低電流源測量單元(SMU)儀器,可提供*的力量,精度,速度,靈活性和易于使用在R&D,生產測試,以提高生產力和可靠性的環境。型號2657A是專為表征和測試高電壓電子和功率半導體器件,如二極管,場效應晶體管和IGBT,以及其他組件和材料中,需要高電壓,響應速度快,和精確的測量的電壓和電流的。型號2657A加入吉時利2600A系列的功率半導體器件表征和測試解決方案系列,提供zui高的功率和低電流性能在業界。這些自定義配置的解決方案支持業界zui強大的參數化特征的軟件平臺,與您共同成長,為您的應用程序的發展。

    型號2657A一樣,每個2600A系列數字源表儀器,提供了一個具有高度靈活性,四象限電壓和電流源/負載,再加上精密電壓和電流表。它可以被用來作為
    半導體特性分析儀
     V或I波形發生器
     V或電流脈沖發生器
    精密電源V和I回讀
    真正的電流源
    數字萬用表(DCV,DCI,歐姆,功率6?位分辨率)
    精密電子負載


    供選擇的配件
    7709-308A 型DB50公連接器套件(焊杯),帶外殼
    CA-180-3A型TSP-Link電纜


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